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結(jié)晶是溶液中析出固體的過程，溶質(zhì)從溶液中結(jié)晶出來，分為兩個過程，即成核過程和晶核成長過程。

  成核過程：成核過程即指在飽和溶液中新生成結(jié)晶微粒作為結(jié)晶的核心。按其形成模式大體分為：初級成核和二次成核。初級成核是指在完全清凈的飽和溶液中，由于分子、原子或離子構(gòu)成運(yùn)動單元，互相撞碰結(jié)合成晶胚線體，晶胚可逆地解離或生長，當(dāng)生長到足夠大，能與溶液建立熱力學(xué)平衡時，就可稱為晶核。在真空制硝中，只有當(dāng)過飽和度大而料液中晶核較少時才會發(fā)生初級成核。真空蒸發(fā)生產(chǎn)中，二次成核是晶核的主要來源。二次成核主要分為流體剪應(yīng)力成核和接觸成核。所謂剪應(yīng)力成核就是指當(dāng)飽和溶液以較大的流速流過正在成長的晶體表面時，在流體邊界存在的剪應(yīng)力能將一些附著在晶體元的粒子掃落，而成為新的晶核。接觸成核即為當(dāng)晶體與其它固體物接觸時，由于撞擊所產(chǎn)生的晶體表面的碎粒成核。二次成核是決定粒度分布的關(guān)鍵之一，控制好二次成核速率是蒸發(fā)生產(chǎn)的要點。一旦晶核生成，溶質(zhì)分子或離子會繼續(xù)一層層地排列上去而形成晶粒，這就叫結(jié)晶成長。晶體成長過程分為擴(kuò)散過程和表面反應(yīng)過程。所謂擴(kuò)散過程即指溶質(zhì)從溶液本體穿過晶體表面的靜止液層，轉(zhuǎn)移到晶體表面的過程；表面反應(yīng)過程是指轉(zhuǎn)移到晶體表面的溶質(zhì)長入晶體表面，同時放出結(jié)晶熱，放出的熱量傳導(dǎo)進(jìn)入溶液中。

  晶核的形成與晶體的成長都必須有過飽和度作為推動力，過飽和度越大，晶核形成和晶體成長速率都越大。在生產(chǎn)操作中，要使結(jié)晶粒度均勻分布，就必須控制過程的晶核形成，以結(jié)晶成長為主。